De FeFET is de ferro-elektrische veld-effect-transistor.
Dit is een type geheugencel dat gebruikt kan worden voor grote hoeveelheden dataopslag en zit voorlopig nog in de ontwikkelingsfase.
De transistor bezit een element met ferro-elektrische eigenschappen dat je als geheugencel kan gebruiken. Materialen zijn ferro-elektrisch wanneer ze een inwendige elektrische polariteit bezitten. Dit wil zeggen dat het materiaal deeltjes heeft met
een positief geladen kant en een negatief geladen kant.
Wanneer je een elektrisch veld aanlegt doorheen dit materiaal, gaan alle deeltjes in dezelfde richting als het veld staan. Op die manier krijgt het materiaal zelf een elektrisch veld.
Wanneer je het aangelegd veld weghaalt, blijven de deeltjes op hun plaats en blijft het elektrisch veld van het materiaal.
Het elektrisch veld kan twee richtingen hebben, van plus naar min of van min naar plus.
De FeFET is op dezelfde manier opgebouwd als het Floating-Gate geheugen maar met een ferro-elektrisch materiaal in de poort. Het werkt ook op een gelijkaardige manier. De zwevende poort van de FeFET beïnvloedt de vorming van het elektronenpadje, afhankelijk
van de richting van de polariteit van de deeltjes in de zwevende poort.