Een geheugencel kan je op verschillende manieren maken.
Zoals eerder gezegd, moet de geheugencel het cijfer 0 of 1 kunnen weergeven, afhankelijk van wat er eerder in de cel opgeslagen was.
In de voorbeelden hiervoor spraken we telkens van elektronen. Als de cel elektronen bevat, geeft hij 1 weer, anders 0.
![](images/Geheugencel_1_met_elektronen_V00_01.png)
De Floating gate geheugencel is werkt volgens dit principe. Klik op de onderstaande knop om er meer over te leren.
Floating Gate geheugencel
Een andere mogelijkheid is om een cel van magnetisch materiaal te gebruiken. Het magnetisch veld kan dan naar de noordpool (1) of de zuidpool (0) wijzen.
![](images/Geheugencel_2_V00_01.png)
Een ferro-elektrisch materiaal heeft een elektrische polariteit en kan op dezelfde manier als een magnetisch materiaal gebruikt worden. Het elektrisch veld kan “naar boven (1)” of “naar onder (0)” wijzen.
![](images/Geheugencel_3_up_V00_01.png)
De FeFET geheugencel werkt volgens bovenstaand principe. Klik op de onderstaande knop voor meer informatie hieronder.
FeFET geheugencel
De spin, vaak gevisualiseerd door draairichting, is een fundamentele eigenschap van een elektron. Ook dat kan je gebruiken in een geheugencel. We spreken over "spin up" of in wijzerzin draaiend bij 1 en "spin down" of in tegenwijzerzin draaiend bij
0.
![](images/Geheugencel_4_V00_01.png)